Электрические свойства эпитаксиальных структур с р-п гомо и гетеропереходами в системе GaP-GaAs

  • 01.00.00 Физика и математика

АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе, Ленинград

199 стр.

Электрические свойства эпитаксиальных структур с р-п гомо и гетеропереходами в системе GaP-GaAs — Корольков, Владимир Ильич — 1967 — Российская библиотека диссертаций