Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs и мощные лазерные излучатели (λ=808 НМ) на их основе
Яроцкая, Ирина Валентиновна, 2013, кандидатская диссертация
Науч.-исслед. ин-т "Полюс им. М.Ф. Стельмаха", Москва
117 стр.
Другие работы по этой специальности
- Микро- и наноструктурирование композитных материалов импульсным лазерным излучением
Шубный, Андрей Геннадьевич · 2022 · Канд. наук · ФГУ «Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук»
- Создание кристаллических наноматериалов с антистоксовой фотолюминесценцией для фотоники и наномедицины
Хайдуков, Евгений Валерьевич · 2021 · Докт. наук · ФГУ «Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук»
- Лазерно-индуцированный перенос гелевых микрокапель с микроорганизмами
Жигарьков, Вячеслав Сергеевич · 2021 · Канд. наук · ФГУ «Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук»
- Полупроводниковые гетероструктуры A3B5, полученные методами молекулярно-пучковой эпитаксии и спекания, и лазеры спектрального диапазона 1300 – 1550 нм на их основе
Карачинский, Леонид Яковлевич · 2020 · Докт. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет ИТМО»
- Сопряженные процессы теплопереноса, конвекции и формирования микроструктуры при лазерной наплавке с коаксиальной подачей металлических порошков
Хоменко, Максим Дмитриевич · 2019 · Канд. наук · Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (МГУ)