Обложка работы «Фазовые превращения в сверхтонких слоях материалов наноэлектроники на основе HfO2 и Si, имплантированного He+». Автор: Чесноков, Юрий Михайлович. Степень: Канд. наук. Год: 2021

Фазовые превращения в сверхтонких слоях материалов наноэлектроники на основе HfO2 и Si, имплантированного He+

ФГБУ «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» ; Диссовет 02.1.003.01 (Д 520.009.01), Москва

164 стр.

Ключевые слова

наноэлектроника материалы, структурные свойства, фазовые превращения при термической обработке

Фазовые превращения в сверхтонких слоях материалов наноэлектроники на основе HfO2 и Si, имплантированного He+ — Чесноков, Юрий Михайлович — 2021 — Российская библиотека диссертаций