Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем

ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)», Санкт-Петербург

303 стр.

Ключевые слова

сегнетоэлектрические мемристивные тонкопленочные композиции, нейроморфные электронные системы

Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем — Андреева, Наталья Владимировна — 2022 — Российская библиотека диссертаций