Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур с гомо- и гетеропереходами в системах GaP-GaAs, AlAs-GaAs

  • 01.00.00 Физика и математика

АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе, Ленинград

185 стр.

Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур с гомо- и гетеропереходами в системах GaP-GaAs, AlAs-GaAs — Зимогорова, Наталия Сергеевна — 1970 — Российская библиотека диссертаций