Обложка работы «Гетероструктуры AIIIP/Si в качестве селективных контактов для высокоэффективных фотовольтаических элементов». Автор: Максимова, Алина Андреевна. Степень: Канд. наук. Год: 2026

Гетероструктуры AIIIP/Si в качестве селективных контактов для высокоэффективных фотовольтаических элементов

«Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)» ; Диссовет 24.2.387.09 (Д 212.238.XX), Санкт-Петербург

128 стр.