Исследование анизотропии рассеяния электронов и ее влияние на электрические и гальваномагнитные свойства n-Ge и n-Si

  • 01.00.00 Физика и математика

Черновиц. гос. ун-т, Черновцы

110 стр.

Исследование анизотропии рассеяния электронов и ее влияние на электрические и гальваномагнитные свойства n-Ge и n-Si — Даховский, Игорь Владимирович — 1965 — Российская библиотека диссертаций