Исследование глубоких уровней в полупроводниках методом электропоглощения

  • 01.00.00 Физика и математика

АН СССР. Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева, Москва

107 стр.

Исследование глубоких уровней в полупроводниках методом электропоглощения — Фан Ба Нян — 1972 — Российская библиотека диссертаций