Исследование границ раздела в конденсаторных структурах на основе сегнетоэлектрического оксида гафния-циркония для использования в запоминающих и нейроморфных устройствах

«Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)» ; Диссовет ФЭФМ.1.3.8.021, Долгопрудный

40 стр.