Механизмы формирования высокотемпературных слоев AlN и AlGaN в аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии

Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва

149 стр.

Ключевые слова

полупроводники широкозонные нитридные, эпитаксия молекулярно-лучевая аммиачная, СВЧ электроника

Механизмы формирования высокотемпературных слоев AlN и AlGaN в аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии — Майборода, Иван Олегович — 2018 — Российская библиотека диссертаций