Оптическое поглощение и излучение в волноводных гетероструктурах GaAs/AlGaAs с активной областью на основе квантовых яма-точек InGaAs
Харченко, Антон Александрович, 2026, кандидатская диссертация
«Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова Российской академии наук» ; Диссовет АУ 02.01, Санкт-Петербург
Другие работы по этой специальности
- Влияние поверхностных явлений и динамики носителей заряда на характеристики микродисковых лазеров с квантоворазмерной активной областью на основе InGaAs/GaAs
Мельниченко, Иван Алексеевич · 2026 · Канд. наук · «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова Российской академии наук» ; Диссовет АУ 02.01
- Магнетотранспортные явления в латерально структурированных и подвешенных GaAs/AlGaAs-гетеропереходах с двумерным электронным газом
Жданов, Евгений Юрьевич · 2026 · Канд. наук · Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; Диссовет 24.1.134.01 (Д 003.037.01)
- Влияние физических и структурных особенностей композитных полупроводниковых материалов на основе ZnO, модифицированного оксидом графена и ванадием, на оптические явления в фотокаталитических процессах
Китаев, Александр Сергеевич · 2026 · Канд. наук · «Национальный исследовательский университет «МЭИ» ; Диссовет МЭИ.110
- Численное моделирование многопереходных фотопреобразователей оптического излучения
Толкачев, Иван Андреевич · 2026 · Канд. наук · Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук ; Диссовет ФТИ 34.01.02.25
- Реконструкция решетки и её влияние на электронные свойства ван-дер-ваальсовых гетероструктур с интерфейсной сверхрешеткой муара
Еналдиев, Владимир Викторович · 2026 · Докт. наук · «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)» ; Диссовет ЛФИ.1.3.11.002