Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-GaN(Si) и p-GaN(Mg) при воздействии различного вида излучения

Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова, Обнинск

183 стр.

Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-GaN(Si) и p-GaN(Mg) при воздействии различного вида излучения — Ермаков, Виктор Сергеевич — 2014 — Российская библиотека диссертаций