Поглощение и эмиссия инфракрасного излучения в квантовых точках GeSi и нитевидных нанокристаллах на основе InAs

«Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)» ; Диссовет 24.2.387.08 (Д 212.238.XX), Санкт-Петербург

19 стр.