Послойный анализ структуры приповерхностных слоев кристаллов методом стоячих рентгеновских волн на основе экспериментального определения вероятности выхода фотоэлектронов

Москва

136 стр.

Послойный анализ структуры приповерхностных слоев кристаллов методом стоячих рентгеновских волн на основе экспериментального определения вероятности выхода фотоэлектронов — Мухамеджанов, Энвер Хамзяевич — 1986 — Российская библиотека диссертаций