Разработка и исследование микросхем высокоэффективных усилителей мощности на базе HEMT GaN-транзисторов

ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники», Москва

121 стр.

Разработка и исследование микросхем высокоэффективных усилителей мощности на базе HEMT GaN-транзисторов — Мьо Мин Тхант — 2022 — Российская библиотека диссертаций