Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GаAs
Петрова, Юлианна Сергеевна, 2024, кандидатская диссертация
ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский государственный университет» ; Диссовет НИ ТГУ.1.3.01, Томск
27 стр.
Ключевые слова
пленки оксида галлия, метод электрохимического окисления (анодирование), проводимость структур с пленками оксида галлия, детекторы дальнего ультрафиолетового излучения
Другие работы по этой специальности
- Влияние параметров синтеза, гетеровалентного замещения и вакансий на термоэлектрические свойства слоистых оксиселенидов на основе Bi
Ханина, Александра Сергеевна · 2026 · Канд. наук · «Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС» ; Диссовет ДС НИТУ МИСИС от 20.04.2023
- Характеризация электрофизическими и оптическими методами природного и синтезированного монокристаллического алмаза с примесью бора
Соломникова, Анна Васильевна · 2026 · Канд. наук · «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)» ; Диссовет 24.2.387.08 (Д 212.238.XX)
- Разработка, создание и исследование инфракрасных фотодетекторов на основе гетероструктур нитевидных нанокристаллов InAs(P) на кремнии
Голтаев, Александр Сергеевич · 2026 · Канд. наук · «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж. И. Алферова Российской академии наук» ; Диссовет АУ 02.01
- Формирование состава в подрешётке пятой группы твёрдых растворов GaPxAs(1-x)(001) и InAsxSb(1- x)(001) при молекулярно-лучевой эпитаксии
Емельянов, Евгений Александрович · 2026 · Канд. наук · Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; Диссовет 24.1.134.01 (Д 003.037.01)
- Магнитно-резонансные исследования поведения доноров в кристаллах Si и Si1-xGex с модифицированными изотопным составом и спин-орбитальным взаимодействием
Калинина, Екатерина Александровна · 2026 · Канд. наук · «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского» ; Диссовет 24.2.340.01 (Д 212.166.01)