Теоретические и экспериментальные подходы к разработке гибких сегнетоэлектрических мемристивных устройств на основе оксида гафния

«Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)» ; Диссовет ФЭФМ.1.3.5.011, Московская обл.