Условия образования, структура, электрические и оптические свойства пленок антимонида галлия, полученных методом дискретного испарения

  • 01.00.00 Физика и математика

АН СССР. Ин-т кристаллографии, Москва

144 стр.

Условия образования, структура, электрические и оптические свойства пленок антимонида галлия, полученных методом дискретного испарения — Айтхожин, Сабир Эбенович — 1969 — Российская библиотека диссертаций