Влияние глубоких примесных уровней на некоторые свойства электронно-дырочных переходов в полупроводниках

  • 01.00.00 Физика и математика

Ташк. гос. ун-т им. В. И. Ленина, Ташкент

262 стр.

Влияние глубоких примесных уровней на некоторые свойства электронно-дырочных переходов в полупроводниках — Карагеоргий-Алкалаев, Павел Михайлович — 1962 — Российская библиотека диссертаций