Влияние температуры облучения на кинетику накопления электронных центров в щелочно-галоидных кристаллах под действием протонов

  • 01.00.00 Физика и математика

Томский гос. ун-т, Томск

147 стр.

Влияние температуры облучения на кинетику накопления электронных центров в щелочно-галоидных кристаллах под действием протонов — Кравец, Анатолий Наумович — 1966 — Российская библиотека диссертаций