Вопросы определения концентрации примесей в предельно очищенных полупроводниках : Ge и n-InSb

  • 01.00.00 Физика и математика

Моск. гос. пед. ин-т им. В. И. Ленина, Москва

206 стр.

Вопросы определения концентрации примесей в предельно очищенных полупроводниках : Ge и n-InSb — Банная, Вера Федоровна — 1968 — Российская библиотека диссертаций