Выращивание слоев Ge, Si и GaAs методом жидкостной эпитаксии и некоторые их электрические свойства

  • 05.00.00 Техника

Новосиб. электротехн. ин-т, Новосибирск

189 стр.

Выращивание слоев Ge, Si и GaAs методом жидкостной эпитаксии и некоторые их электрические свойства — Пак, Сергей Павлович — 1967 — Российская библиотека диссертаций