Физико-технологические основы создания трехкаскадных фотопреобразователей GaInP/GaAs/Ge с повышенной радиационной стойкостью

Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова, Краснодар

154 стр.

Физико-технологические основы создания трехкаскадных фотопреобразователей GaInP/GaAs/Ge с повышенной радиационной стойкостью — Скачков, Александр Федорович — 2020 — Российская библиотека диссертаций