Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники

шифр 2.2.3. • до 2022 года: 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники»

1. Разработка технологии газофазного эпитаксиального роста кремниевых структур в условиях сильного автолегирования

   Томашевски, Яцек · 1988 · Канд. наук

   • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
2. Легирование пленок теллудида свинца индием при их получении из газовой фазы

   Пак Чжон Ун · 1988 · Канд. наук

   • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
3. Ионообменное легирование ниобата лития для получения световодных элементов интегральной оптики

   Коркишко, Юрий Николаевич · 1987 · Канд. наук

   • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
4. Разработка автоматизированной установки для выращивания кристаллов гранатов

   Асташкин, Сергей Алексеевич · 1987 · Канд. наук

   • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
5. Жидкофазная эпитаксия Ga As и Alx Ga1-x As из растворов в расплаве двухкомпонентных изовалентных растворителей

   Краснов, Василий Александрович · 1987 · Канд. наук

   • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
6. Тонкопленочные резисторы на основе системы CrSi2-TaSi2 для космического приборостроения

   Сасов, Анатолий Михайлович · 1987 · Канд. наук

   • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
7. Кинетические исследования взаимодействия пьезоматериалов с системой Н₂O-HF-NH₄ HF₂

   Федоров, Андрей Евгеньевич · 1987 · Канд. наук

   • 05.17.02 Технология редких, рассеянных и радиоактивных элементов
   • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
8. Разработка стекловидных молибденсодержащих материалов для толстопленочных резисторов

   Андронова, Римма Евгеньевна · 1987 · Канд. наук · Московский институт электронной техники

   • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
9. Спектроанализаторы сигналов звуковых частот на основе электролюминесцентных индикаторов

   Зу Зун Ген · 1987 · Канд. наук

   • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
10. Рост и легирование из газовой фазы теллурида свинца-олово и исследование электрофизических свойств

    Зайнудинов, Сафар · 1987 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
11. Управление степенью компенсации германия методом контролируемого распада пересыщенного твердого раствора германий - примесь

    Яковенко, Анатолий Георгиевич · 1986 · Докт. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
12. Технология гетерогенного синтеза диэлектрических пленок на поверхности кремния в реактивной газовой среде с управляемым ионным облучением

    Пранявичене, Гене Бонифацовна · 1986 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
13. Технология осаждения слоев поликристаллического кремния для быстродействующих микросхем

    Сокол, Юрий Кириллович · 1986 · Канд. наук · Каунасский политехнический институт им. Антанаса Снечкуса

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
14. Разработка и внедрение новых материалов и технологических процессов для толстопленочной микроэлектроники

    Тризна, Юрий Павлович · 1986 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
15. Методы контроля однородности распределения электрофизических параметров монокристаллического кремния с использованием автоматизированной аппаратуры с мини-ЭВМ

    Кудин, Анатолий Владимирович · 1986 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
16. Свойства и технология изготовления материалов вторично-эмиссионных катодов мощных магнетронов

    Редёга, Константин Павлович · 1986 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
17. Получение гомо- и гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния и создание на их основе высокотемпературных термопреобразователей

    Чепурнов, Виктор Иванович · 1986 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
18. Ионно-химическое травление и технологии обработки поверхности арсенида галлия

    Бернотас, Гинтаутас Ионович · 1986 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
19. Разработка физико-химических основ получения эпитаксиальных слоев нитрида алюминия и твердых растворов на его основе

    Добрынин, Андрей Витальевич · 1986 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
20. Ориентирующие и защитные покрытия в технологии изготовления жидкокристаллических дисплеев

    Лукьянченко, Елена Степановна · 1986 · Канд. наук

    • 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники