Обложка работы «Формирование омических контактов к гетероструктурам на основе нитрида галлия». Автор: Шостаченко, Станислав Алексеевич. Степень: Канд. наук. Год: 2020

Формирование омических контактов к гетероструктурам на основе нитрида галлия

ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Москва

109 стр.

Ключевые слова

омические контакты, полупроводниковые гетероструктуры для СВЧ транзисторов

Формирование омических контактов к гетероструктурам на основе нитрида галлия — Шостаченко, Станислав Алексеевич — 2020 — Российская библиотека диссертаций