Обложка работы «Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения». Автор: Шайблер, Генрих Эрнстович. Степень: Канд. наук. Год: 2001

Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения

Новосибирск

130 стр.

Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения — Шайблер, Генрих Эрнстович — 2001 — Российская библиотека диссертаций