Исследование и моделирование AlGaN/GaN наногетероструктур для создания нормально-закрытых транзисторов
Чуканова, Ольга Борисовна, 2024, кандидатская диссертация
ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03), Москва
135 стр.
Другие работы по этой специальности
- Болометр на горячих электронах на основе тонкого слоистого сверхпроводника диселенида ниобия
Шеин, Кирилл Вячеславович · 2026 · Канд. наук · «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» ; Диссовет Диссертационный совет по инженерным наукам и прикладной математике
- Конструктивно-технологические решения формирования элементов металлизации силовых МДП-транзисторных структур с вертикальным каналом с топологическими нормами 0,25 мкм
Горностай-Польский, Вадим Станиславович · 2026 · Канд. наук · «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет 24.2.342.03 (Д 212.134.XX)
- Исследование и разработка конструкции и технологии изготовления кремниевых P-I-N диодов для микрооптоэлектромеханических систем
Сауров, Михаил Александрович · 2026 · Канд. наук · «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет 24.2.342.03 (Д 212.134.XX)
- Высокочувствительный преобразователь магнитного поля на основе спин-туннельных магниторезистивных наноструктур с синтетическим антиферромагнетиком
Васильев, Дмитрий Вячеславович · 2026 · Канд. наук · «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет 24.2.342.03 (Д 212.134.XX)
- Методы и средства определения малых концентраций нитросодержащих газов МДП-сенсорами
Этрекова, Майя Оразгельдыевна · 2026 · Канд. наук · «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» ; Диссовет МИФИ.2.05