Исследование и разработка силовых микросборок на основе GaN/SiC диодов и GaN/Si транзисторов, а также интегральных схем на основе GaN/SOI для высокоплотных DC-DC преобразователей электрической энергии

«Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники» ; Диссовет 24.2.415.03 (Д 212.268.04), Томск

186 стр.