Обложка работы «Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники». Автор: Резвый, Ростислав Ростиславович. Степень: Докт. наук. Год: 1998

Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники

Москва

65 стр.

Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники — Резвый, Ростислав Ростиславович — 1998 — Российская библиотека диссертаций