Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP

Другие работы по этой специальности

1. Резонансные процессы фотостимулированного излучения пленок гидрогенизированного и фторированного нанокристаллического кремния

   Миловзоров, Дмитрий Евгеньевич · Докт. наук · Национальный исследовательский университет МЭИ

   • 01.04.10 Физика полупроводников
2. Формирование нанокластеров германия в плёнках GeSixOy

   Чжан Фань · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Новосибирский национальный исследовательский государственный университет» ; Диссовет Совет по защите диссертаций по физическим наукам

   • 01.04.10 Физика полупроводников
3. Транспорт неравновесных носителей заряда в облученных кремниевых детекторах при температуре сверхтекучего гелия

   Шепелев, Артем Сергеевич · 2023 · Канд. наук · ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук ; Диссовет ФТИ 34.01.02

   • 01.04.10 Физика полупроводников
4. Создание и исследование гибких светодиодов на основе массивов фосфидных и нитридных полупроводниковых соединений нитевидных нанокристаллов, инкапсулированных в полимерные матрицы

   Кочетков, Фёдор Михайлович · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»

   • 01.04.10 Физика полупроводников
5. Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем

   Андреева, Наталья Владимировна · 2022 · Докт. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»

   • 01.04.10 Физика полупроводников

Все работы по специальности