Критические элементы сбоеустойчивых цифровых комплементарных металл-оксид-полупроводниковых интегральных схем с проектными нормами уровня 65 нм

ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Москва

125 стр.

Критические элементы сбоеустойчивых цифровых комплементарных металл-оксид-полупроводниковых интегральных схем с проектными нормами уровня 65 нм — Данилов, Игорь Александрович — 2022 — Российская библиотека диссертаций