Методы и средства повышения устойчивости к многократным сбоям ячеек статической памяти и комбинационных элементов микросхем с проектными нормами уровня 65 нм

ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Москва

102 стр.

Методы и средства повышения устойчивости к многократным сбоям ячеек статической памяти и комбинационных элементов микросхем с проектными нормами уровня 65 нм — Балбеков, Антон Олегович — 2022 — Российская библиотека диссертаций