Математическое моделирование субмикронных биполярных гетероструктурных транзисторов на основе полупроводниковых материалов А₃В₅

Москва

148 стр.

Математическое моделирование субмикронных биполярных гетероструктурных транзисторов на основе полупроводниковых материалов А₃В₅ — Карташов, Сергей Евгеньевич — 1994 — Российская библиотека диссертаций