Обложка работы «Метаморфные гетероструктуры InSb/InAs/In(Ga,Al)As на подложках GaAs для оптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона 2.0-4.5 мкм». Автор: Чернов, Михаил Юрьевич. Степень: Канд. наук. Год: 2021

Метаморфные гетероструктуры InSb/InAs/In(Ga,Al)As на подложках GaAs для оптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона 2.0-4.5 мкм

ФГБУН "Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе" Российской академии наук, Санкт-Петербург

126 стр.

Ключевые слова

светодиодные гетероструктуры с квантовыми ямами, гетероструктуры на основе квантовых ям

Метаморфные гетероструктуры InSb/InAs/In(Ga,Al)As на подложках GaAs для оптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона 2.0-4.5 мкм — Чернов, Михаил Юрьевич — 2021 — Российская библиотека диссертаций