Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ), Санкт-Петербург

151 стр.

Ключевые слова

СИД гетероструктуры, НЕМТ гетероструктуры, оптоэлектроника

Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием — Яковлев, Георгий Евгеньевич — 2018 — Российская библиотека диссертаций