Особенности развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих светодиодов на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург

157 стр.

Особенности развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих светодиодов на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур — Черняков, Антон Евгеньевич — 2014 — Российская библиотека диссертаций