Подвижность электронов в тонких пленках кремния
Зайцева, Эльза Гайнуллаевна, 2022, кандидатская диссертация
ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; Диссовет 24.1.134.01 (Д 003.037.01), Новосибирск
119 стр.
Ключевые слова
рессеяние электронов в тонких пленках кремния, тонкопленочные транзисторы
Другие работы по этой специальности
- Поглощение и эмиссия инфракрасного излучения в квантовых точках GeSi и нитевидных нанокристаллах на основе InAs
Устименко, Ратмир Владленович · 2026 · Канд. наук · «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)» ; Диссовет 24.2.387.08 (Д 212.238.XX)
- Особенности резистивного отклика тонких пленок PdO, работающих в режиме термомодуляции
Аль Хабиб Азл Абд Аламир Кадхим · 2026 · Канд. наук · «Воронежский государственный университет» ; Диссовет 24.2.288.05 (Д 212.038.10)
- Оптическое поглощение и излучение в волноводных гетероструктурах GaAs/AlGaAs с активной областью на основе квантовых яма-точек InGaAs
Харченко, Антон Александрович · 2026 · Канд. наук · Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж. И. Алферова Российской академии наук ; Диссовет АУ 02.01
- Влияние поверхностных явлений и динамики носителей заряда на характеристики микродисковых лазеров с квантоворазмерной активной областью на основе InGaAs/GaAs
Мельниченко, Иван Алексеевич · 2026 · Канд. наук · «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова Российской академии наук» ; Диссовет АУ 02.01
- Магнетотранспортные явления в латерально структурированных и подвешенных GaAs/AlGaAs-гетеропереходах с двумерным электронным газом
Жданов, Евгений Юрьевич · 2026 · Канд. наук · Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; Диссовет 24.1.134.01 (Д 003.037.01)