Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C
Анохин, Александр Сергеевич · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»
Ситков, Никита Олегович · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»
Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C — Тхан Пьо Чжо — 2022 — Российская библиотека диссертаций