Обложка работы «Псевдоморфные квантовые ямы AlGaAs/InGaAs/GaAs с составной структурой барьерного слоя и комбинированным легированием». Автор: Сафонов, Данил Андреевич. Степень: Канд. наук. Год: 2021

Псевдоморфные квантовые ямы AlGaAs/InGaAs/GaAs с составной структурой барьерного слоя и комбинированным легированием

ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Москва

118 стр.

Ключевые слова

PHEMT структуры, квантовый электронный транспорт, транзисторы, интегральные микросхемы

Псевдоморфные квантовые ямы AlGaAs/InGaAs/GaAs с составной структурой барьерного слоя и комбинированным легированием — Сафонов, Данил Андреевич — 2021 — Российская библиотека диссертаций