Разработка физических основ технологии ядерного легирования полупроводниковых соединений АˡˡˡBv (на примере GaAs и InAs)
Колин, Николай Георгиевич, 1985, кандидатская диссертация
Московский институт стали и сплавов, Москва
24 стр.
Другие работы по этой специальности
- Резонансные процессы фотостимулированного излучения пленок гидрогенизированного и фторированного нанокристаллического кремния
Миловзоров, Дмитрий Евгеньевич · Докт. наук · Национальный исследовательский университет МЭИ
- Формирование нанокластеров германия в плёнках GeSixOy
Чжан Фань · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Новосибирский национальный исследовательский государственный университет» ; Диссовет Совет по защите диссертаций по физическим наукам
- Транспорт неравновесных носителей заряда в облученных кремниевых детекторах при температуре сверхтекучего гелия
Шепелев, Артем Сергеевич · 2023 · Канд. наук · ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук ; Диссовет ФТИ 34.01.02
- Создание и исследование гибких светодиодов на основе массивов фосфидных и нитридных полупроводниковых соединений нитевидных нанокристаллов, инкапсулированных в полимерные матрицы
Кочетков, Фёдор Михайлович · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»
- Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем
Андреева, Наталья Владимировна · 2022 · Докт. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»