Обложка работы «Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с ламбда-1,3мкм». Автор: Усиков, Александр Сергеевич. Степень: Канд. наук. Год: 1983

Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с ламбда-1,3мкм

Ленинград

209 стр.

Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с ламбда-1,3мкм — Усиков, Александр Сергеевич — 1983 — Российская библиотека диссертаций