Обложка работы «Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах». Автор: Ханин, Юрий Николаевич. Степень: Канд. наук. Год: 2002

Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах

Черноголовка

95 стр.

Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах — Ханин, Юрий Николаевич — 2002 — Российская библиотека диссертаций