Структурные и электрофизические свойства аморфных HfxAl1-xOy и сегнетоэлектрических HfxLa1-xOy, HfxZr1-xOy тонкопленочных оксидов, формируемых методом атомно-слоевого осаждения
Ключевые слова
тонкопленочные оксиды, атомно-слоевое осаждение оксидов, сложные оксиды