Обложка работы «Технология несплавных омических контактов полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов на гетероструктурах ALGAN/GAN». Автор: Павлов, Владимир Юрьевич. Степень: Канд. наук. Год: 2024

Технология несплавных омических контактов полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов на гетероструктурах ALGAN/GAN

ФГБОУ ВО «МИРЭА - Российский технологический университет» ; Диссовет 24.2.326.07 (24.2.326.07), Москва