Физика полупроводников

1. Формирование состава в подрешётке пятой группы твёрдых растворов GaPxAs(1-x)(001) и InAsxSb(1- x)(001) при молекулярно-лучевой эпитаксии

   Емельянов, Евгений Александрович · 2026 · Канд. наук · Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; Диссовет 24.1.134.01 (Д 003.037.01)

   • 1.3.11 Физика полупроводников
2. Магнитно-резонансные исследования поведения доноров в кристаллах Si и Si1-xGex с модифицированными изотопным составом и спин-орбитальным взаимодействием

   Калинина, Екатерина Александровна · 2026 · Канд. наук · «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского» ; Диссовет 24.2.340.01 (Д 212.166.01)

   • 1.3.11 Физика полупроводников
3. Стабильность электрофизических свойств тонких аморфных пленок полупроводниковых соединений GeTe - Sb₂ Te₃

   Трусов, Евгений Павлович · 2026 · Канд. наук · Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина ; Диссовет 24.2.375.02 (Д 212.211.03)

   • 1.3.11 Физика полупроводников
4. Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии

   Майдэбура, Ян Евгеньевич · 2025 · Канд. наук · Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; Диссовет 24.1.134.01 (Д 003.037.01)

   • 1.3.11 Физика полупроводников
5. Мезопористый кремний : от проблемы стабильности к композитным наноструктурам и диодам

   Ян, Дмитрий Тхякбонович · 2025 · Докт. наук · Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук ; Диссовет 24.1.027.02 (Д 005.007.02)

   • 1.3.11 Физика полупроводников
6. Электронные и оптические характеристики полупроводниковых гетероструктур в рамках биортогональной квантовой механики и электродинамики

   Захарченко, Михаил Владимирович · 2025 · Канд. наук · Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) ; Диссовет Д 212.238.XX (24.2.387.08)

   • 1.3.11 Физика полупроводников
7. Характеризация полупроводниковых материалов и структур методами оптической спектроскопии и эллипсометрии

   Панов, Михаил Федорович · 2025 · Докт. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)» ; Диссовет Д 212.238.XX (24.2.387.08)

   • 1.3.11 Физика полупроводников
8. Эффект порогового по электрическому полю переключения из высокоомного в низкоомное состояние в образцах CuCr1-xAlxO2 со структурой делафоссита

   Матасов, Антон Владимирович · 2025 · Канд. наук · «Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова Российской академии наук» ; Диссовет 24.1.111.01 (Д 002.231.01)

   • 1.3.11 Физика полупроводников
9. Диффузия и взаимодействие имплантированных атомов In и As в оксиде кремния в условиях ионно-лучевого синтеза наночастиц InAs

   Сы Чжунбинь · 2025 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Новосибирский национальный исследовательский государственный университет» ; Диссовет Диссертационный совет по физическим наукам

   • 1.3.11 Физика полупроводников
10. Термоэлектрические свойства скуттерудитов р-типа, полученных методом механохимического синтеза

    Чернышова, Евгения Валерьевна · 2025 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС» ; Диссовет ДС НИТУ МИСИС от 20.04.2023

    • 1.3.11 Физика полупроводников
11. Особенности структуры и свойств наночастиц и наноразмерных порошков BaFe12-xMexO19 при различных замещениях в железной подрешетке

    Аль-Хафаджи Хусам Имад Махмуд · 2025 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС» ; Диссовет ДС НИТУ МИСИС от 20.04.2023

    • 1.3.11 Физика полупроводников
12. Инфракрасная спектроскопия анизотропного отражения и фотоотражения полупроводниковых кристаллов и наноструктур

    Хахулин, Семен Андреевич · 2025 · Канд. наук · Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) ; Диссовет Д 212.238.XX (24.2.387.08)

    • 1.3.11 Физика полупроводников
13. Ионный синтез нанокристаллов InSb на границе раздела Si/SiO2 в структурах кремний-на-изоляторе

    Чжан Жонань · 2025 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Новосибирский национальный исследовательский государственный университет» ; Диссовет Диссертационный совет по физическим наукам

    • 1.3.11 Физика полупроводников
14. Коллоидные квантовые точки системы I-III-VI : методы получения, оптические свойства и применение

    Корепанов, Олег Алексеевич · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)» ; Диссовет Д 212.238.XX (24.2.387.08)

    • 1.3.11 Физика полупроводников
15. Анализ закономерностей и моделирование структуры и свойств икосаэдрических квазикристаллов

    Мадисон, Павел Алексеевич · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)» ; Диссовет Д 212.238.XX (24.2.387.08)

    • 1.3.11 Физика полупроводников
16. Неравновесные электронные процессы в органических полупроводниковых композиционных материалах

    Саитов, Шамиль Рашитович · 2024 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова» ; Диссовет МГУ.013.5

    • 1.3.11 Физика полупроводников
17. Формирование нанокластеров германия в плёнках GeSixOy

    Чжан Фань · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Новосибирский национальный исследовательский государственный университет» ; Диссовет Совет по защите диссертаций по физическим наукам

    • 01.04.10 Физика полупроводников
18. Пленки Mg2Si, выращенные на Si(111) методом сверхбыстрой реактивной эпитаксии : структура, электрофизические свойства, контактные явления, фотоотклик

    Чернев, Игорь Михайлович · 2024 · Канд. наук · ФГБУН Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук ; Диссовет 24.1.027.02 (Д 005.007.02)

    • 1.3.11 Физика полупроводников
19. Спиновая динамика в низкоразмерных структурах на основе полупроводников А(3)В(5) и топологических изоляторов

    Хомицкий, Денис Владимирович · 2024 · Докт. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского» ; Диссовет 24.2.340.01 (Д 212.166.01)

    • 1.3.11 Физика полупроводников
20. Термоэлектрические свойства двойных сплавов Гейслера

    Хассан Мохамед Асран Мохамед · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС» ; Диссовет ДС НИТУ МИСИС от 20.04.2023

    • 1.3.11 Физика полупроводников