Физика полупроводников

1. Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое

   Диб Хазем · 2024 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский государственный университет» ; Диссовет НИ ТГУ.1.3.01

   • 1.3.11 Физика полупроводников
2. Исследование структуры и электрофизических свойств композитов на основе полимерных материалов и углеродных наноструктур

   Гарипов, Ранис Рамисович · 2023 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «Казанский государственный энергетический университет» ; Диссовет 24.2.310.01 (Д 212.082.01)

   • 1.3.11 Физика полупроводников
3. Спектрометрические характеристики HR-GaAs : Cr сенсоров рентгеновского излучения

   Щербаков, Иван Дмитриевич · 2023 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский государственный университет» ; Диссовет НИ ТГУ.1.3.01

   • 1.3.11 Физика полупроводников
4. Транспорт неравновесных носителей заряда в облученных кремниевых детекторах при температуре сверхтекучего гелия

   Шепелев, Артем Сергеевич · 2023 · Канд. наук · ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук ; Диссовет ФТИ 34.01.02

   • 01.04.10 Физика полупроводников
5. Взаимосвязь атомной структуры и люминесцентных свойств протяженных дефектов в нитриде галлия = : Interrelation of atomic structure and luminescent properties of extended defects in gallium nitride

   Шапенков, Севастьян Владимирович · 2023 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный университет» ; Диссовет CПбГУ A1.3.11.23.10622

   • 1.3.11 Физика полупроводников
6. Структурная и структурно-химическая модификация физических свойств алмазоподобных кремний-углеродных пленок

   Чуканова, Татьяна Сергеевна · 2023 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «Национальный исследовательский университет «МЭИ» ; Диссовет МЭИ.110

   • 1.3.11 Физика полупроводников
7. Физико-технологические особенности формирования полупроводниковых наноматериалов на основе оксида цинка для фотокаталитических приложений

   Якушова, Надежда Дмитриевна · 2022 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «Национальный исследовательский университет «МЭИ» ; Диссовет МЭИ.110

   • 1.3.11 Физика полупроводников
8. Термоэлектрические свойства сплавов Гейслера на основе FeVSb

   Элхули Абделмонеим Ибрагим Мансуб · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

   • 1.3.11 Физика полупроводников
9. Создание и исследование гибких светодиодов на основе массивов фосфидных и нитридных полупроводниковых соединений нитевидных нанокристаллов, инкапсулированных в полимерные матрицы

   Кочетков, Фёдор Михайлович · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»

   • 01.04.10 Физика полупроводников
10. Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем

    Андреева, Наталья Владимировна · 2022 · Докт. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»

    • 01.04.10 Физика полупроводников
11. Фотомодуляционная оптическая спектроскопия полупроводниковых материалов и квантово-размерных структур

    Комков, Олег Сергеевич · 2022 · Докт. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»

    • 01.04.10 Физика полупроводников
12. Подвижность электронов в тонких пленках кремния

    Зайцева, Эльза Гайнуллаевна · 2022 · Канд. наук · ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; Диссовет 24.1.134.01 (Д 003.037.01)

    • 1.3.11 Физика полупроводников
13. Оптические и электронные явления в нитевидных нанокристаллах AIII BV при механической деформации

    Шаров, Владислав Андреевич · 2022 · Канд. наук · ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук ; Диссовет ФТИ 34.01.02

    • 01.04.10 Физика полупроводников
14. Радиопоглощающие свойства феррит-полимерных композитов на основе поли(винилиденфторид-тетрафторэтилена) и Mn-Zn-, Li-Mn-Zn-ферритов

    Шакирзянов, Рафаэль Иосифович · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС» ; Диссовет ДС МИСиС от 17.03.2022

    • 1.3.11 Физика полупроводников
15. Структура и спиновая динамика центров Mn²⁺ и Gd3⁺ в прямозонных узкощелевых полупроводниках Pb₁₋xMnxS, Pb₁₋x₋yCuxMnyS, Pb₁₋xGdxS и Pb₁₋x₋y₋zCuxMnyGdzS

    Хушея Такиеддин Абдурахман Наиф · 2022 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «Казанский государственный энергетический университет» ; Диссовет 24.2.310.01 (Д 212.082.01)

    • 1.3.11 Физика полупроводников
16. Термоэлектрические свойства композитов на основе теллурида висмута с ферромагнитными включениями

    Жежу, Марина · 2022 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «Юго-Западный государственный университет» ; Диссовет 24.2.435.01 (Д 212.105.04)

    • 1.3.11 Физика полупроводников
17. Эффекты парного спин-орбитального взаимодействия и коррелированные состояния в низкоразмерных электронных системах

    Гиндикин, Яков Владимирович · 2021 · Докт. наук · ФГБОУ ВО «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова»

    • 01.04.10 Физика полупроводников
18. Структурные, магнитные и электродинамические характеристики функциональных магнитных материалов на основе замещенных гексаферритов М-типа

    Дарвиш, Мустафа Адел Абделазиз Элсайед · 2021 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

    • 01.04.10 Физика полупроводников
19. Структура тонких пленок материалов фазовой памяти на основе Ge-Sb-Te по данным электронной микроскопии

    Зайцева, Юлия Сергеевна · 2021 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»

    • 01.04.10 Физика полупроводников
20. Формирование и исследование свойств эпитаксиальных структур GaN/Si(111)

    Шубина, Ксения Юрьевна · 2021 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»

    • 01.04.10 Физика полупроводников