Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств

шифр 2.2.2. • до 2022 года: 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах»; 05.27.03 «Квантовая электроника»

1. Электро- и магнитокалорический эффекты в объемных сегнетоэлектрических и ферромагнитных материалах

   Анохин, Александр Сергеевич · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»

   • 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
2. Гетерогенно-интегрированная микрофлюидная биосенсорная система

   Ситков, Никита Олегович · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»

   • 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
3. Исследование и разработка широкополосных логарифмических усилителей для радиочастотных трактов

   Морозов, Дмитрий Николаевич · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
4. Архитектура многоканального АЦП на основе контура ФАПЧ с реконфигурацией параметров преобразования

   Магеррамов, Рафаэл Вагифович · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
5. Разработка конструктивно-топологических методов повышения радиационной стойкости плотноупакованных наноразмерных СБИС по критерию тиристорного защелкивания при воздействии тяжелых заряженных частиц

   Панышев, Кирилл Андреевич · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
6. Разработка принципов аппаратной реализации ядра нейросинаптического процессора на основе мемристивных устройств в архитектуре типа кроссбар

   Суражевский, Игорь Алексеевич · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
7. Конструктивно-технологические решения при проектировании СВЧ микромодулей космического назначения на органическом диэлектрике

   Поймалин, Владислав Эдуардович · 2022 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «Национальный исследовательский университет «МЭИ» ; Диссовет МЭИ.110

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
8. Электро- и фотоиндуцированные эффекты переключения поляризации в сегнетоэлектрических материалах для устройств фотоники

   Шерстюк, Наталия Эдуардовна · 2022 · Докт. наук · ФГБОУ ВО «МИРЭА - Российский технологический университет»

   • 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
9. Микро- и наноструктурирование композитных материалов импульсным лазерным излучением

   Шубный, Андрей Геннадьевич · 2022 · Канд. наук · ФГУ «Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук»

   • 05.27.03 Квантовая электроника
10. Быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор среднего-ИК диапазона на основе пленок нитрида ниобия

    Золотов, Филипп Игоревич · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»

    • 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
11. Исследование и разработка методики оценки эффективности взаимозаменяемости микросхем в радиоэлектронной аппаратуре на основании критической совокупности их характеристик

    Шабанов, Андрей Александрович · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
12. Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C

    Тхан Пьо Чжо · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»

    • 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
13. Влияние излучений и электрического поля на ионный перенос в структурах на основе иодида серебра и пористого кремния

    Галушка, Виктор Владимирович · 2022 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского»

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
14. Электрические, оптические и фотоэлектрические свойства легированных кристаллов сегнетоэлектриков-полупроводников TlGaSe2 и TlInS2

    Кааби Сабах Абед Давуд · 2022 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского»

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
15. Получение и исследование функциональных покрытий на основе наноуглеродных композитов для СВЧ и субтерагерцовой микроэлектроники

    Сторублев, Антон Вячеславович · 2022 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского» ; Диссовет 24.2.392.01 (Д 212.243.01)

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
16. Детектирование спиновых волн в магнитных микроструктурах YIG/Pt и YIG/n-InSb

    Селезнев, Михаил Евгеньевич · 2022 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского» ; Диссовет 24.2.392.01 (Д 212.243.01)

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
17. Конструктивно-технологические решения для создания кварцевого чувствительного элемента акселерометра с повышенной температурной стабильностью нулевого сигнала

    Харламов, Максим Сергеевич · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
18. Исследование физических и математических моделей процессов электрохимического переноса в диффузионных преобразователях параметров движения

    Жевненко, Дмитрий Алексеевич · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)» ; Диссовет ФЭФМ.2.2.2.003

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
19. Методы и средства изготовления специализированных металлооксидных газовых сенсоров на основе технологии лазерной микрофрезеровки

    Облов, Константин Юрьевич · 2021 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

    • 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
20. Универсальный сверхширокополосный радиофотонный приемный канал на основе оптического гетеродинирования

    Конторов, Сергей Михайлович · 2021 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

    • 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах