Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств

шифр 2.2.2. • до 2022 года: 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах»; 05.27.03 «Квантовая электроника»

1. Разработка методов увеличения мощности малогабаритных ТГц излучателей на основе выращенных при низкой температуре гетероструктур А3-As

   Номоев, Сергей Андреевич · 2023 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» ; Диссовет МИФИ.2.01

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
2. Гетерогенные биосенсоры на основе полевых структур

   Кузнецов, Александр Евгеньевич · 2023 · Докт. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» ; Диссовет МИФИ.2.01

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
3. Моделирование радиационно-индуцируемых токов утечки транзисторов глубоко-субмикронных КНИ КМОП СБИС

   Лагаев, Дмитрий Александрович · 2023 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
4. Высокочувствительный преобразователь магнитного поля на основе многослойных периодических наноструктур с гигантским магниторезистивным эффектом

   Костюк, Дмитрий Валентинович · 2023 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
5. Исследование и разработка методов оценки сечения сбоя и повышения стойкости интегральных запоминающих устройств к воздействию тяжелых заряженных частиц

   Смирнова, Вера Петровна · 2023 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
6. Исследование и разработка методик считывания информации для интегральных устройств сжатой дискретизации сигнала

   Полунин, Михаил Николаевич · 2023 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
7. Методы измерения квантовых систем гарантированной точности

   Кузнецов, Юрий Александрович · 2023 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
8. Гетероструктурные СВЧ полевые транзисторы с селективным донорно - акцепторным легированием

   Лукашин, Владимир Михайлович · 2023 · Докт. наук · АО «Научно-производственное предприятие «Исток» имени А. И. Шокина» ; Диссовет 74.1.008.01 (Д 409.001.01)

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
9. Квантовая томография сверхпроводникового однофотонного детектора

   Святодух, Маргарита Игоревна · 2023 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» ; Диссовет Диссертационный совет по инженерным наукам и прикладной математике

   • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
10. Асимметричные полевые транзисторы на основе графена и углеродных нанотрубок для получения поляризационно-чувствительного детектирования терагерцового излучения

    Матюшкин, Яков Евгеньевич · 2023 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» ; Диссовет Диссертационный совет по инженерным наукам и прикладной математике

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
11. Обращенные гетероструктуры с донорно – акцепторным легированием и цифровыми барьерами для увеличения коэффициента усиления полевых транзисторов миллиметрового диапазона длин волн

    Терешкин, Евгений Валентинович · 2023 · Канд. наук · АО «Научно-производственное предприятие «Исток» имени А. И. Шокина» ; Диссовет 74.1.008.01 (Д 409.001.01)

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
12. Электрофизические свойства мемристоров на основе двухслойного полимерного композита полианилин-поли(винилиденфторид-трифторэтилен)

    Будаев, Артем Викторович · 2023 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского» ; Диссовет 24.2.392.01 (Д 212.243.01)

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
13. Исследование физических основ построения рельефа в фоторезистивной маске с разработкой компактной литографической модели

    Харченко, Екатерина Леонидовна · 2023 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)» ; Диссовет ФЭФМ.2.2.2.004

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
14. Оптические свойства фотонных кристаллов и магнитооптические методы исследования наноструктур и элементов электроники

    Яшин, Максим Михайлович · 2022 · Канд. наук · ФГБОУ ВО «МИРЭА - Российский технологический университет»

    • 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
15. Разработка и исследование микросхем высокоэффективных усилителей мощности на базе HEMT GaN-транзисторов

    Мьо Мин Тхант · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»

    • 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
16. Исследование и разработка методики повышения стойкости высоковольтных КМОП микросхем к накопленной дозе радиации

    Нагорнов, Алексей Юрьевич · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»

    • 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
17. Электро- и магнитокалорический эффекты в объемных сегнетоэлектрических и ферромагнитных материалах

    Анохин, Александр Сергеевич · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»

    • 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
18. Гетерогенно-интегрированная микрофлюидная биосенсорная система

    Ситков, Никита Олегович · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»

    • 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
19. Исследование и разработка широкополосных логарифмических усилителей для радиочастотных трактов

    Морозов, Дмитрий Николаевич · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
20. Архитектура многоканального АЦП на основе контура ФАПЧ с реконфигурацией параметров преобразования

    Магеррамов, Рафаэл Вагифович · 2022 · Канд. наук · ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.03)

    • 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств