Физико-технологические основы формирования гальванопокрытий контактных элементов в слаботочных коммутационных устройствах
Гололобов, Геннадий Петрович, 2025, докторская диссертация
«Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет 24.2.342.02 (Д 212.134.XX), Рязань
306 стр.
Другие работы по этой специальности
- Структурные свойства мезопористых пленок, сформированных методом молекулярной самосборки для технологий микроэлектронного производства
Воротынцев, Дмитрий Александрович · 2026 · Канд. наук · МИРЭА - Российский технологический университет ; Диссовет 24.2.326.07
- Разработка новых перспективных диэлектрических материалов для создания слоистых конденсаторов и пьезоэлементов с повышенными характеристиками
Федулов, Дмитрий Юрьевич · 2026 · Канд. наук · «МИРЭА - Российский технологический университет» ; Диссовет 24.2.326.07
- Разработка основ комплексной опытно-промышленной технологии получения полированных пластин антимонида индия диаметром до 100 мм для фотоприемных устройств средневолнового ИК диапазона
Козлов, Роман Юрьевич · 2026 · Канд. наук · «Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС» ; Диссовет ДС НИТУ МИСИС от 20.04.2023
- Разработка основ технологии изготовления линейки лавинных фотодиодов на основе эпитаксиальной структуры P/P+-Si
Ким, Александра Сергеевна · 2026 · Канд. наук · «Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС» ; Диссовет ДС НИТУ МИСИС от 20.04.2023
- Физико-технологические характеристики микропроводов на основе Co и их использование в температурных датчиках сопротивления
Саракуева, Аида Эюповна · 2026 · Канд. наук · Национальный исследовательский технологический университет «МИСИС» ; Диссовет ДС НИТУ МИСИС от 20.04.2023