Исследование влияния контактирующих слоев на свойства тонкопленочных структур на основе соединения Ge2Sb2Te5 для устройств фазовой памяти

ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» ; Диссовет Д 212.134.XX (24.2.342.02), Москва

178 стр.

Исследование влияния контактирующих слоев на свойства тонкопленочных структур на основе соединения Ge2Sb2Te5 для устройств фазовой памяти — Якубов, Алексей Олегович — 2023 — Российская библиотека диссертаций